Особливості фотолюмінесценції та спектрів пропускання тонких шарів пористого кремнію на діелектричних основах

Mykhailo Hryhorovych Dusheiko; Heorhii Serhiiovych Koltsov; Tetiana Yuriivna Obukhova

doi:10.20535/2523-4455.2017.22.6.42663

Т. 22 · № 6 · 2017 гру 29, 2017 Твердотільна електроніка

Особливості фотолюмінесценції та спектрів пропускання тонких шарів пористого кремнію на діелектричних основах

Mykhailo Hryhorovych Dusheiko Відповідальний Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Україна

Heorhii Serhiiovych Koltsov Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Україна

Tetiana Yuriivna Obukhova Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Україна

Сторінки6-11 Опублікованогру 29, 2017

PDF

ТОМ 22 · № 6 · 2017 Переглянути випуск

Анотація

В роботі проведено дослідження спектрів пропускання і фотолюмінісценції шарів пористого кремнію отриманих хімічним травленням з тонких плівок кремнію на основах з полі кору та сапфіру. Показано що характер спектру поглинання таких структур залежить як від умов отримання плівок кремнію так і від матеріалу основи. В результаті дослідження спектрів фотолюмінісценції що збуджувалась УФ-випромінюванням (285 нм) показано, що окрім характерних для пористого кремнію піків в області 600-700 нм в тонких шарах пористого кремнію спостерігаються піки в короткохвильовій області. Бібл. 13, рис. 8.

Ключові слова

#пористий кремній #фотолюмінесценція #хімічне травлення #спектр #тонкі плівки

Посилання

A. Uhlir, "Electrolytic shaping of germanium and silicon," The Bell System Technical Journal, vol. 35, no. 2, pp. 333-347, March 1956. DOI: 10.1002/j.1538-7305.1956.tb02385.x
L. T. Canham, "Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers," Applied Physics Letters, vol. 57, no. 10, p. 1046–1048, 1990. DOI: 10.1063/1.103561
V. A. Skryshevsky, "Basics of MIS-type gas sensors with thin nanoporous silicon," in IEEE 34th International Conference on Electronics and Nanotechnology , Kyiv, Ukraine, 2014. DOI: 10.1109/ELNANO.2014.6873967
T. Obukhova, "Porous silicon formation on solar cells surface," in IEEE XXXIII International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology , Kiev, Ukraine, 2013. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6551993
P. Kumar, P. Lemmens, M. Ghosh, F. Ludwig and M. Schilling, "Effect of HF Concentration on Physical and Electronic Properties of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon," Journal of Nanomaterials, vol. 2009, 2009. DOI: 10.1155/2009/728957
E. J. Anglin, L. Cheng, W. R. Freeman and M. J. Sailor, "Porous silicon in drug delivery devices and materials," Advanced Drug Delivery Reviews, vol. 60, no. 11, pp. 1266-1277, 17 August 2008. DOI: 10.1016/j.addr.2008.03.017
Y. Zhang, Z. Yang, D. Liu, E. Nie, X. Bai, Z. Li, H. Song, Y. Zhou, W. Li, M. Gong and X. Sun, "Stable ultraviolet photoluminescence emission in n-type porous silicon," Journal of Luminescence, vol. 130, no. 6, pp. 1005-1010, June 2010. DOI: 10.1016/j.jlumin.2010.01.015
D. N. Goryachev, L. V. Belyakov and O. M. Sreseli, «O mehanizme obrazovaniya poristogo kremniya [On the mechanism of formation of porous silicon],» Fizika i tehnika poluprovodnikov, vol. 34, no. 9, p. 1130 – 1134, 2000. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/37249
T. Obukhova, M. Dusheiko and T. Borodinova, "Porous silicon thin films with metallic nanoparticles on insulator subtrates," in IEEE 35th International Conference on Electronics and Nanotechnology , Kiev, Ukraine, 2015. DOI: 10.1109/ELNANO.2015.7146853
R. P. Chin, Y. R. Shen and V. Petrova-Koch, "Photoluminescence from Porous Silicon by Infrared Multiphoton Excitation," Science, vol. 270, no. 5237, pp. 776-778, 03 November 1995. DOI: 10.1126/science.270.5237.776
M. Guendouz, P. Joubert and M. Sarret, "Effect of crystallographic directions on porous silicon formation on patterned substrates," Materials Science and Engineering: B, Vols. 69-70, pp. 43-47, 14 January 2000. DOI: 10.1016/S0921-5107(99)00263-9
T. Y. Bilyk, «FotoliumInIstsentsIia sharIv porystoho kremnIiu otrymanoho khImIchnym sposobom [Photoluminescence of layers of porous silicon obtained by the chemical method],» Electronics and Communications, Thematic Issue "Electronics and Nanotechnology", vol. 16, no. 4, pp. 45-47, 2011.
N. E. Korsunskaya, T. R. Stara, L. Y. Homenkova, E. V. Svezhentsova, N. N. Melnichenko and F. F. Sizov, «Priroda izlucheniya poristogo kremniya, poluchennogo himicheskim travleniem [The nature of the radiation of porous silicon obtained by chemical etching],» Fizika i tehnika poluprovodnikov, vol. 44, no. 1, pp. 82-86, 2010. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/7030

Попередня у випуску Методи і технології захисту комп’ютерних мереж (фізичний та канальний рівні) Наступна у випуску Регулювальні характеристики імпульсних регуляторів з урахуванням внутрішнього опору джерела електроживлення

§ 06 — Пов'язані

Схожі статті в цьому журналі

Пов'язані рецензовані дослідження, опубліковані в цьому журналі.

Усі випуски

Оптичні властивості наночастинок нікелю в системах зі статистично неоднорідною структурою

Oleksandr Viktorovich Machulianskyi

Представлений аналіз та подальший розвиток експериментально-аналітичного підходу для визначення значень оптичних параметрів нанорозмірних частинок в системі зі…

#електрична поляризованість #нанорозмірні частинки #експериментально-аналітичний метод

с. 6-15

10.20535/2523-4455.2018.23.1.126231

Квазістатична ідентифікація структури затінення сонячних панелей за методом векторів кардинальних чисел

PhD, доц. Олена Олегівна Абакумова, д-р техн. наук, проф. Валерій Якович Жуйков, Микола О. Лук'янов

У статті розглянуто проблему ідентифікації структури затінення сонячних панелей. Актуальність дослідження зумовлена необхідністю швидкої та адекватної реконфігурації…

#Сонячні панелі #Фотоелектрична поверхня #Моделювання структури тіней #Квазістатична ідентифікація

с. 362283.1-362283.7

10.20535/2523-4455.mea.362283

Імітаційне моделювання фільтро-компенсаційного перетворювача для трифазної трипровідної мережі

Іван Андрійович Вакуленко, канд. техн. наук, доц. Дмитро Анатолійович Миколаєць, канд. техн. наук, доц. Катерина Сергіївна Клен

У цій статті розглядається критична проблема погіршення якості електроенергії в сучасних енергосистемах, спричинена поширенням нелінійних навантажень. Такі навантаження…

#фільтр-компенсаційний перетворювач #трифазна трипровідна мережа #якість електроенергії #повне гармонійне спотворення

с. 361138.1-361138.6

10.20535/2523-4455.mea.361138

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

Oksana Yuriivna Kutova, Tetyana Yuriivna Obukhova, Mykhailo Hryhorovych Dusheiko, Bogdan Oleksiyovych Loboda, Tetyana Ivanivna Borodinova, Serhii Viktorovych Tkach, Сенсори на польових та фототранзисторах з металевими наночастинками та пористим кремнієм , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 5 (2018)

Схожі статті

Oksana Yuriivna Kutova, Tetyana Yuriivna Obukhova, Mykhailo Hryhorovych Dusheiko, Bogdan Oleksiyovych Loboda, Tetyana Ivanivna Borodinova, Serhii Viktorovych Tkach, Сенсори на польових та фототранзисторах з металевими наночастинками та пористим кремнієм , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 5 (2018)
Liubomyr Mykolaiovych Korolevych, Natalia Maksimchuk, Oleksandr Vasyliovych Borysov, Вплив методів отримання тонких плівок оксиду церію на вольт-фарадні характеристики МДН-структур , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 3 (2019)
Oleksandr Viktorovich Machulianskyi, Оптичні властивості наночастинок нікелю в системах зі статистично неоднорідною структурою , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 1 (2018)
Valerij Kostyantynovych Bohushevych, Lidiya Mykolayivna Zamarenova, Hlib Mykhaylovych Kotov, Mykhailo Ivanovych Skipa, Прецизійні ультразвукові вимірювачі рівня рідини в закритих резервуарах , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 1 (2019)
Oleksandr Viktorovych Machulianskyi, Питома електрична поляризованість наночастинок міді в оптичному діапазоні спектру , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 2 (2018)
Andrii Volodymyrovych Osinsky, Andrii Volodymyrovych Diahiliev, Oleksandr Vasylovych Borysov, Nataliia Mykolaivna Liakhova, Marat Serhiiovych Onachenko, Nina Olehivna Sukhovii, Ihor Vitaliiovych Masol, Volodymyr Ivanovych Osinsky, Рекордна ефективність сонячних батарей на варізонних трінітрідах квантових енесторів-зоністорів , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 5 (2018)
Mikhail Removych Dombrougov, Моделювання явища інверсії градієнта профілю алюмінію при рідиннофазній епитаксії гетероструктур GaAl(P,As,Sb) , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 1 (2019)
Kostiantyn S. Mazur, Alina O. Serheieva, Dmytro D. Tatarchuk, Yuri V. Didenko, Керовані частотноселективні структури НВЧ на основі неоднорідної мікросмужкової лінії передачі , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 4 (2018)
Arkadii Mykolaiovych Prodeus, Andrii Vitaliiovych Vityk, Daniil Yuriiovych Didenko, Суб’єктивне оцінювання якості та розбірливості мовних сигналів, спотворених синтезованими шумами , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 22 № 6 (2017)
Дмитро А. Шевчук, канд. техн. наук, доц. Наталія Георгіївна Іванушкіна, Комплексний метод виділення неінвазивного сигналу фетальної електрокардіограми та класифікації серцевих аритмій , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 31 № 2 (2026)

1-10 з 24 Наступне

Ви також можете розпочати розширений пошук схожих статей для цієї статті.

[1] A. Uhlir, "Electrolytic shaping of germanium and silicon," The Bell System Technical Journal, vol. 35, no. 2, pp. 333-347, March 1956. DOI: 10.1002/j.1538-7305.1956.tb02385.x

[2] L. T. Canham, "Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers," Applied Physics Letters, vol. 57, no. 10, p. 1046–1048, 1990. DOI: 10.1063/1.103561

[3] V. A. Skryshevsky, "Basics of MIS-type gas sensors with thin nanoporous silicon," in IEEE 34th International Conference on Electronics and Nanotechnology , Kyiv, Ukraine, 2014. DOI: 10.1109/ELNANO.2014.6873967

[4] T. Obukhova, "Porous silicon formation on solar cells surface," in IEEE XXXIII International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology , Kiev, Ukraine, 2013. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6551993

[5] P. Kumar, P. Lemmens, M. Ghosh, F. Ludwig and M. Schilling, "Effect of HF Concentration on Physical and Electronic Properties of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon," Journal of Nanomaterials, vol. 2009, 2009. DOI: 10.1155/2009/728957

[6] E. J. Anglin, L. Cheng, W. R. Freeman and M. J. Sailor, "Porous silicon in drug delivery devices and materials," Advanced Drug Delivery Reviews, vol. 60, no. 11, pp. 1266-1277, 17 August 2008. DOI: 10.1016/j.addr.2008.03.017

[7] Y. Zhang, Z. Yang, D. Liu, E. Nie, X. Bai, Z. Li, H. Song, Y. Zhou, W. Li, M. Gong and X. Sun, "Stable ultraviolet photoluminescence emission in n-type porous silicon," Journal of Luminescence, vol. 130, no. 6, pp. 1005-1010, June 2010. DOI: 10.1016/j.jlumin.2010.01.015

[8] D. N. Goryachev, L. V. Belyakov and O. M. Sreseli, «O mehanizme obrazovaniya poristogo kremniya [On the mechanism of formation of porous silicon],» Fizika i tehnika poluprovodnikov, vol. 34, no. 9, p. 1130 – 1134, 2000. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/37249

[9] T. Obukhova, M. Dusheiko and T. Borodinova, "Porous silicon thin films with metallic nanoparticles on insulator subtrates," in IEEE 35th International Conference on Electronics and Nanotechnology , Kiev, Ukraine, 2015. DOI: 10.1109/ELNANO.2015.7146853

[10] R. P. Chin, Y. R. Shen and V. Petrova-Koch, "Photoluminescence from Porous Silicon by Infrared Multiphoton Excitation," Science, vol. 270, no. 5237, pp. 776-778, 03 November 1995. DOI: 10.1126/science.270.5237.776

[11] M. Guendouz, P. Joubert and M. Sarret, "Effect of crystallographic directions on porous silicon formation on patterned substrates," Materials Science and Engineering: B, Vols. 69-70, pp. 43-47, 14 January 2000. DOI: 10.1016/S0921-5107(99)00263-9

[12] T. Y. Bilyk, «FotoliumInIstsentsIia sharIv porystoho kremnIiu otrymanoho khImIchnym sposobom [Photoluminescence of layers of porous silicon obtained by the chemical method],» Electronics and Communications, Thematic Issue "Electronics and Nanotechnology", vol. 16, no. 4, pp. 45-47, 2011.

[13] N. E. Korsunskaya, T. R. Stara, L. Y. Homenkova, E. V. Svezhentsova, N. N. Melnichenko and F. F. Sizov, «Priroda izlucheniya poristogo kremniya, poluchennogo himicheskim travleniem [The nature of the radiation of porous silicon obtained by chemical etching],» Fizika i tehnika poluprovodnikov, vol. 44, no. 1, pp. 82-86, 2010. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/7030