Критерій вибору діелектрика для кремнієвих МДН-структур

Liubomyr Mykolaiovych Korolevych; Oleksandr Vasyliovych Borysov

doi:10.20535/2523-4455.2018.23.6.141435

Т. 23 · № 6 · 2018 гру 28, 2018 Мікросистеми та фізична електроніка

Критерій вибору діелектрика для кремнієвих МДН-структур

Liubomyr Mykolaiovych Korolevych Відповідальний Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Україна

Oleksandr Vasyliovych Borysov Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Україна

Сторінки6-12 Опублікованогру 28, 2018

PDF

ТОМ 23 · № 6 · 2018 Переглянути випуск

Анотація

Розглядаються питання загального підходу до пошуку діелектрика для кремнієвих МДН-структур як альтернативного діоксиду кремнію (SiO 2 ). Показано, що на основі класичної теорії опису кристалічної решітки (вузловий аспект) неможливо одержати критерій вибору діелектрика для МДН-структур. Тому запропоновано новий – міжвузловий аспект – опису кристалічної решітки, на основі якого одержано загальний критерій вибору діелектрика для будь-якої напівпровідникової підкладки. Завдяки введенню нового характеристичного параметру кристалічної речовини – середньої довжини зв’язку – одержано аналітичний вираз для роботи виходу електрона з кристалу. Встановлено, що найбільш придатним для кремнієвих МДН-структур є діоксид церію CeO 2 . Бібл. 10, рис. 9.

Ключові слова

#МДН-структура #вузловий аспект #міжвузловий аспект #середня довжина зв’язку #критерій вибору #робота виходу

Посилання

K. A. Valiev and A. A. Orlikovskii, “Ot mikro- i nanoelektroniki k tverdotelnym kvantovym kompiuteram [From micro- and nanoelectronics to solid-state quantum computers],” in Bazovie lektsii po elektronike [Basic lectures on electronics], V. M. Proleiko, Ed. Moscow: Tehnosphera, 2009, pp. 72–95.
S. Kar, Ed., High Permittivity Gate Dielectric Materials, vol. 43. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013, ISBN: 978-3-642-36534-8.
O. Engstrom, The MOS System. Cambridge: Cambridge University Press, 2014, ISBN: 9780511794490.
K. J. Hubbard and D. G. Schlom, “Thermodynamic stability of binary oxides in contact with silicon,” J. Mater. Res., vol. 11, no. 11, pp. 2757–2776, Nov. 1996, DOI: 10.1557/JMR.1996.0350.
G. Y. Krasnikov and N. A. Zaitsev, Sistema kremnii-dioksid kremniya submikronnyh SBIS [The silicon-silicon dioxide system of submicron VLSI]. Moscow: Tehnosphera, 2003, ISBN: 5-94836-008-3.
O. Engström et al., “Navigation aids in the search for future high-k dielectrics: Physical and electrical trends,” Solid. State. Electron., vol. 51, no. 4, pp. 622–626, Apr. 2007, DOI: 10.1016/j.sse.2007.02.021.
S. Kar, D. Misra, R. Singh, F. Gonzalez “Correlation between the material constants of and a figure of merit for the high-k gate dielectrics,” in Physics and Technology of High-K Gate Dielectrics ̵ 1. 28, 2003, pp. 13–24.
O. V. Borisov, L. N. Korolevych, and A. V. Shevliakova, “Fizicheskaya model mejuzlovogo aspekta prostranstvennoi kristallicheskoi reshyotki [Physical model of intersites aspect of space crystal lattice],” Electron. Commun., vol. 21, no. 2, pp. 10–17, Nov. 2016, DOI: 10.20535/2312-1807.2016.21.2.83920.
H. V. Shevliakova, L. M. Korolevych, and O. V. Borisov, “Matematicheskaya model mejuzlovogo aspekta prostranstvennoi kristallicheskoi reshyotki [Mathematical model of intersites aspect of space crystal lattice],” Electron. Commun., vol. 20, no. 5, pp. 6–14, May 2015, DOI: 10.20535/2312-1807.2015.20.5.69923.
L. Korolevych, A. Borisov, and H. Shevliakova, “Relationship between electron work function and crystal lattice constant,” in 2017 IEEE First Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON), 2017, pp. 623–627, DOI: 10.1109/UKRCON.2017.8100327.

Попередня у випуску Визначення первинних класифікаційних ознак монохроматичного джерела звуку в мілкому морі Наступна у випуску Визначення області стереофонічного звучання джерел інформаційних сигналів

§ 06 — Пов'язані

Схожі статті в цьому журналі

Пов'язані рецензовані дослідження, опубліковані в цьому журналі.

Усі випуски

Механічно перелаштовувана антена з іонно-полімерним металевим композитом

Artem Serhiyovych Chernov, Oleksii O. Malyshok, Victor Anatoliiovych Kazmirenko, Irina Petrivna Holubeva, Yuriy Vasylovych Prokopenko, Guy A. E. Vandenbosch

Розглядається актуальна задача створення антен для сучасних бездротових систем, здатних до роботи у різних частотних діапазонах. Зазвичай для перелаштування частоти…

#структура з відхиленням електрода #фільтена #перелаштування частоти #актюатор ІМПК

с. 343504.1-343504.6

10.20535/2523-4455.mea.343504

Модель генератора Маркса для генерації коронного розряду у повітрі

Andrii Viktorovych Melnyk, Oleh Mykolaiovych Bevza, Anatolii Ivanovych Kuzmichiev

У статті розглянуто роботу генератора Маркса з навантаженням у вигляді від'ємного коронного розряду в повітрі за атмосферного тиску та побудовано його електричну модель.…

#коронний розряд #генератор Маркса #висока напруга #іонізація

с. 324599.1-324599.8

10.20535/2523-4455.mea.324599

Взаємодія срібних наночастинок з підкладкою в умовах плазмонного резонансу

Yurii I. Mysiuk, Yurii B. Smachylo, Oleksandr V. Ilin, Tetiana Oleksandrivna Bulavinets, Iryna Y. Yaremchuk

Взаємодія між наночастинками металів і підкладками в умовах плазмонного резонансу відіграє вирішальну роль у різних оптичних застосуваннях. У цій роботі ми досліджуємо…

#наночастинки срібла #переріз екстинкції #підкладка #локалізований поверхневий плазмонний резонанс

с. 303929.1-303929.6

10.20535/2523-4455.mea.303929

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

Liubomyr Mykolaiovych Korolevych, Natalia Maksimchuk, Oleksandr Vasyliovych Borysov, Вплив методів отримання тонких плівок оксиду церію на вольт-фарадні характеристики МДН-структур , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 3 (2019)

Схожі статті

Liubomyr Mykolaiovych Korolevych, Natalia Maksimchuk, Oleksandr Vasyliovych Borysov, Вплив методів отримання тонких плівок оксиду церію на вольт-фарадні характеристики МДН-структур , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 3 (2019)
Oksana Yuriivna Kutova, Tetyana Yuriivna Obukhova, Mykhailo Hryhorovych Dusheiko, Bogdan Oleksiyovych Loboda, Tetyana Ivanivna Borodinova, Serhii Viktorovych Tkach, Сенсори на польових та фототранзисторах з металевими наночастинками та пористим кремнієм , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 5 (2018)
Oleksandr Viktorovych Machulianskyi, Питома електрична поляризованість наночастинок міді в оптичному діапазоні спектру , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 2 (2018)
Khaldon Araffa, Планування траєкторії антропоморфного крокуючого робота (Biped Robot) , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 2 (2019)
Valerij Kostyantynovych Bohushevych, Lidiya Mykolayivna Zamarenova, Hlib Mykhaylovych Kotov, Mykhailo Ivanovych Skipa, Прецизійні ультразвукові вимірювачі рівня рідини в закритих резервуарах , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 1 (2019)
Oleksandr Viktorovich Machulianskyi, Оптичні властивості наночастинок нікелю в системах зі статистично неоднорідною структурою , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 1 (2018)
Антон Васильович Коцюбайло, д-р техн. наук, проф. Олександр Миколайович Лисенко, Розподілена архітектура системи Wi-Fi-керування активним ортезом верхніх кінцівок , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 31 № 1 (2026)
Dmytro V. Pareniuk, Sergey A. Naida, Дослідження можливості використання критерію Соколова для оцінки результатів направленого впливу на слухову систему біологічного об’єкту , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 3 (2019)
Tymofii Andriiovych Khodniev, Oleksandr Ihorovych Antoniuk, Anton Yuriiovych Varfolomieiev, Oleksandr Mykolaiovych Lysenko, Порівнево-декомпозиційна модель оцінки інтегральної ефективності використання тракту зв'язку з урахуванням перешкод , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 6 (2018)
PhD, доц. Олена Олегівна Абакумова, д-р техн. наук, проф. Валерій Якович Жуйков, Микола О. Лук'янов, Квазістатична ідентифікація структури затінення сонячних панелей за методом векторів кардинальних чисел , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 31 № 2 (2026)

1-10 з 64 Наступне

Ви також можете розпочати розширений пошук схожих статей для цієї статті.

[1] K. A. Valiev and A. A. Orlikovskii, “Ot mikro- i nanoelektroniki k tverdotelnym kvantovym kompiuteram [From micro- and nanoelectronics to solid-state quantum computers],” in Bazovie lektsii po elektronike [Basic lectures on electronics], V. M. Proleiko, Ed. Moscow: Tehnosphera, 2009, pp. 72–95.

[2] S. Kar, Ed., High Permittivity Gate Dielectric Materials, vol. 43. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013, ISBN: 978-3-642-36534-8.

[3] O. Engstrom, The MOS System. Cambridge: Cambridge University Press, 2014, ISBN: 9780511794490.

[4] K. J. Hubbard and D. G. Schlom, “Thermodynamic stability of binary oxides in contact with silicon,” J. Mater. Res., vol. 11, no. 11, pp. 2757–2776, Nov. 1996, DOI: 10.1557/JMR.1996.0350.

[5] G. Y. Krasnikov and N. A. Zaitsev, Sistema kremnii-dioksid kremniya submikronnyh SBIS [The silicon-silicon dioxide system of submicron VLSI]. Moscow: Tehnosphera, 2003, ISBN: 5-94836-008-3.

[6] O. Engström et al., “Navigation aids in the search for future high-k dielectrics: Physical and electrical trends,” Solid. State. Electron., vol. 51, no. 4, pp. 622–626, Apr. 2007, DOI: 10.1016/j.sse.2007.02.021.

[7] S. Kar, D. Misra, R. Singh, F. Gonzalez “Correlation between the material constants of and a figure of merit for the high-k gate dielectrics,” in Physics and Technology of High-K Gate Dielectrics ̵ 1. 28, 2003, pp. 13–24.

[8] O. V. Borisov, L. N. Korolevych, and A. V. Shevliakova, “Fizicheskaya model mejuzlovogo aspekta prostranstvennoi kristallicheskoi reshyotki [Physical model of intersites aspect of space crystal lattice],” Electron. Commun., vol. 21, no. 2, pp. 10–17, Nov. 2016, DOI: 10.20535/2312-1807.2016.21.2.83920.

[9] H. V. Shevliakova, L. M. Korolevych, and O. V. Borisov, “Matematicheskaya model mejuzlovogo aspekta prostranstvennoi kristallicheskoi reshyotki [Mathematical model of intersites aspect of space crystal lattice],” Electron. Commun., vol. 20, no. 5, pp. 6–14, May 2015, DOI: 10.20535/2312-1807.2015.20.5.69923.

[10] L. Korolevych, A. Borisov, and H. Shevliakova, “Relationship between electron work function and crystal lattice constant,” in 2017 IEEE First Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON), 2017, pp. 623–627, DOI: 10.1109/UKRCON.2017.8100327.