Перейти до вмісту
Наукові вісті КПІ
ISSN 2617-5509 · e‑ISSN 2663-7472 Відкритий доступ · CC BY 4.0
Т. · № 1 · 2020 бер 6, 2020 статті

ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ФАЗОЗМІННИХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ У ІНФРАЧЕРВОНОМУ ДІАПАЗОНІ

KS
Kostiantyn V. Shportko Відповідальний V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Ukraine Україна
EV
Evgen F. Venger V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Ukraine Україна
Опублікованобер 6, 2020
PDF
НВКПІ 1 ТОМ · 1
ТОМ · № 1 · 2020 Переглянути випуск

Анотація

Проблематика. У роботі досліджуються оптичні властивості халькогенідних сполук (GeTe) x (Sb 2 Te 3 ) 1 - x , що є перспективними для використання як функціональні матеріали в енергонезалежних запам’ятовувальних пристроях і дисплеях. Зберігання інформації спирається на контраст фізичних властивостей між кристалічним і аморфним станами цих сполук, які в метастабільному кристалічному стані утворюють спотворену кубічну ґратку з високою концентрацією вакансій. Мета дослідження. Метою роботи є дослідження впливу структурного та термоіндукованого невпорядкування на внесок вільних носіїв заряду в діелектричну проникність фазозмінних халькогенідних сполук (GeTe) x (Sb 2 Te 3 ) 1 - x та на оптичні властивості цих матеріалів в околі основного краю оптичного поглинання. Методика реалізації. Результати були отримані аналізом спектрів ІЧ-відбивання зразків фазозмінних халькогенідів (GeTe) x (Sb 2 Te 3 ) 1 - x . Результати дослідження. Встановлено, що ширина локалізованих електронних станів, параметр Тауца та внесок плазмонів у діелектричну проникність досліджуваних зразків фазозмінних халькогенідів (GeTe) x (Sb 2 Te 3 ) 1 - x залежать від концентрації вакансій та їх упорядкування. Отримані дані підтверджують, що зміна структурного невпорядкування в (GeTe) x (Sb 2 Te 3 ) 1 - x призводить до зміни типу електропровідності в досліджуваних зразках. Висновки. Ширина енергетичного розподілу локалізованих електронних станів та параметр Тауца залежать від концентрації вакансій та їх впорядкування. Зменшення концентрації вакансій призводить до зростання внеску вільних носіїв заряду в діелектричну функцію (GeTe) x (Sb 2 Te 3 ) 1 - x , їхнє впорядкування спричиняє більші зміни у значеннях частоти плазмонів та їхнього коефіцієнту затухання. Отримані результати надають інформацію щодо шляхів зміни властивостей (GeTe) x (Sb 2 Te 3 ) 1 - x .

Ключові слова

#Халькогеніди #Оптична спектроскопія #Діелектрична проникність #Невпорядкування #Кристалічна ґратка

Посилання

  1. S.R. Ovshinsky, “Reversible electrical switching phenomena in disordered structures”, Phys. Rev. Lett. , vol. 21, p. 1450, 1968. doi: 10.1103/PhysRevLett.21.1450
  2. P. Hosseini et al. , “An optoelectronic framework enabled by low-dimensional phase-change films”, Nature , vol. 511, p. 206, 2014. doi: 10.1038/nature13487
  3. P. Guo et al. , “A review of germanium-antimony-telluride phase change materials for non-volatile memories and optical modulators”, Appl. Sci. , vol. 9, no. 3, p. 530, 2019. doi: 10.3390/app9030530
  4. A.V. Kolobov and J. Tominaga, Chalcogenides , vol. 164. Berlin, Heidelberg, Germany: Springer, 2012.
  5. K.D. Bogoslovsky and N.A. Tsendin, “Physics of switching and memory effects in chalcogenide glassy semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov , vol. 46, no. 5, pp. 577–608, 2012.
  6. K. Shportko et al. , “Anharmonicity of the vibrational modes of phase-change materials: A far-infrared, terahertz, and Raman study”, Vib. Spectrosc. , vol. 95, pp. 51–56, 2018. doi: 10.1016/j.vibspec.2018.01.005
  7. P.W. Anderson, “Absence of diffusion in certain random lattices”, Phys. Rev. , vol. 109, no. 5, pp. 1492–1505, 1958. doi: 10.1103/PhysRev.109.1492
§ 06 — Пов'язані

Схожі статті в цьому журналі

Пов'язані рецензовані дослідження, опубліковані в цьому журналі.
Усі випуски

МЕТОДИ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ ЦІЛІСНОСТІ ОБРОБКИ ТА ПЕРЕДАЧІ ДАНИХ У ПРОМИСЛОВИХ СИСТЕМАХ АВТОМАТИЗАЦІЇ

Ярослав Корпань, Євген Федоров, Ольга Нечипоренко

Проблематика. Сучасні промислові системи контролю характеризуються високим рівнем інтеграції інформаційних і фізичних процесів та використанням розподілених…

#промислові системи автоматизації #SCADA-системи #цілісність даних #кібербезпека ICS
10.20535/kpisn.2026.3.361520

МЕТОДИКА ПАРАМЕТРИЧНОГО СИНТЕЗУ ЗУМ-АФОКАЛЬНИХ СИСТЕМ НА ОСНОВІ НЕРУХОМИХ ВАРІОЛІНЗ

Ігор Г. Чиж

Проблематика Зум-оптичні системи, в яких використовуються механічно нерухомі електрично керовані варіолінзи, не можуть вважатися такими, що мають нерухомі оптичні…

#зум-афокальні системи #головні точки варіолінз #синтез зум-афокальних систем #стабільна афокальність зум-системи
10.20535/kpisn.2026.3.351645

МОДИФІКАЦІЯ НЕЙРОМЕРЕЖЕВОГО МЕТОДУ SPINN ДЛЯ НАБЛИЖЕНОГО РОЗВ'ЯЗАННЯ МІШАНОЇ ЗАДАЧІ ДЛЯ РІВНЯННЯ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ В ЕЛІПТИЧНІЙ ОБЛАСТІ

Валерій Лось, Олександр Ряхін

Проблематика. Параболічні диференціальні рівняння є математичними моделями інженерії, призначеними для дослідження широкого кола прикладних задач. Це приводить до…

#рівняння теплопровідності #мішана параболічна задача #еліптична область #фізико-інформативна нейронна мережа
10.20535/kpisn.2026.3.367316

Схожі статті

1-10 з 11

Ви також можете розпочати розширений пошук схожих статей для цієї статті.