Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям

Iryna Petrivna Baida; Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov; Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk; Volodymyr Ivanovych Tymofieiev

doi:10.20535/2523-4455.2019.24.2.169269

Т. 24 · № 2 · 2019 кві 30, 2019 Мікросистеми та фізична електроніка

Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям

Iryna Petrivna Baida Відповідальний Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського" Україна

Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського" Україна

Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського" Україна

Volodymyr Ivanovych Tymofieiev Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського" Україна

Сторінки14-24 Опублікованокві 30, 2019

PDF

ТОМ 24 · № 2 · 2019 Переглянути випуск

Анотація

У роботі наведено аналіз релаксаційних процесів у субмікронних гетероструктурних транзисторах з системою квантових ям. Розроблено методики моделювання наногетероструктур з урахуванням квантових ефектів та специфічних для потрійних сполук механізмів розсіяння. На основі системи релаксаційних рівнянь проведено моделювання субмікронних гетероструктур з квантовими ямами. При моделюванні, крім оптичних, акустичних, міждолинних і домішкових механізмів розсіяння, враховано розсіювання на сплавному деформаційному потенціалі. Розраховано часи релаксації для розсіювання на сплавному деформаційному потенціалі і враховано вплив на полешвидкісні і вихідні характеристики субмікронного гетероструктурного транзистора. Бібл. 13, рис. 19.

Ключові слова

#механізми розсіювання #сплавний потенціал #часи релаксації #субмікронні гетероструктурні транзистори #квантові ями

Посилання

T. Suemitsu, «InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave application,» IEICE 2015 Electronics Express, vol. 12, no. 13, pp. 1-12, 2015. DOI: 10.1587/elex.12.20152005
M. Navid, A. Anjum, Sharadindu Gopal Kirtania, A. Farhana, A. Md. Kawsar та Quazi Deen Mohd Khosru, «High Electron Mobility Transistors: Performance Analysis, Research Trend and Applications,» in Different Types of Field-Effect Transistors Intech open science, pp. 45-64, 2017. DOI: 10.5772/67796
M. A. Alim, Ali A Rezazadeh, Norshakila Haris та C. Gaquiere, «Anomaly and Intrinsic Capacitance Behaviour Over Temperature of AlGaN/GaN/SiC and AlGaAs/GaAs HEMTs for Microwave Application,» в Proceedings of the 11th European Microwave Integrated Circuits Conference. 2016 EuMA, London, UK, 3–4 Oct 2016. DOI: 10.1109/EuMIC.2016.7777512
N. Zagni, Francesco Maria Puglisi, Giovanni Verzellesi та Paolo Pavan, «Threshold Voltage Statistical Variability and Its Sensitivity to Critical Geometrical Parameters in Ultrascaled InGaAs and Silicon FETs,» IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 6, no. 11, pp. 4607-4614, 2017. DOI: 10.1109/TED.2017.2754323
M. Fallahnejad, Alireza Kashaniniya та Mehdi Vadizadeh, «Design and Simulation Noise Characteristics of AlGaN/GaN HEMT on SIC Substrate for Low Noise Applications,» IOSR Journal of Electrical and Electronics Engineering (IOSR-JEEE) e-ISSN: 2278-1676,p-ISSN: 2320-3331, vol. 10, no. 3.Ver.II(May–Jun.2015), pp. 31-37, 2015. DOI: 10.9790/1676-10323137
F. Li, L. H. Qing та D. P. Klemer, «Numerical Simulation of High Electron Mobility Transistors based on the Spectral Element Method,» ACES JOURNAL, vol. 31, no. 10, pp. 1144-1150, 2016. URL: https://aces-society.org/includes/downloadpaper.php?of=ACES_Journal_October_2016_Paper_1&nf=16-10-1
V. Moskaliuk, V. Timofeev та A. Fedyay, Ultra-high-speed electronic devices, Saarbrucken, Germany: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2014.
A. Ya. Shyk, L. H. Bakuva,S. F. Musikhin, S. A. Rykov , Fizika nizkorazmernykh sistem [Physics of low-dimensional systems], st.Peterburg: Nauka, 2001, p. 160.
V. I. Zubkov, «Modelirovaniye vol't-faradnykh kharakteristik geterostruktur s kvantovymi yamami s pomoshch'yu samosoglasovannogo resheniya uravneniy Shredingera i Puassona [Simulation of the capacitance-voltage characteristics of heterostructures with quantum wells using self-consistent solution of the Schrödinger and Poisson equations],» SEMICONDUCTORS/PHYSICS OF THE SOLID STATE, vol. 40, no. 10, pp. 1236-1240, 2006. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6173
L. D. Landau, E. M. Livshyts, Teoreticheskaya fizika: Kvantovaya mekhanika. Nerelyativistskaya teoriya [Theoretical physics: Quantum mechanics. Nonrelativistic theory] vol. 3, Moskow.: Nauka, 1989, p. 766.
V. P. Dragunov, I. G. Neivestnyi, V. A. Hridchyn, Osnovy nanoelektroniki [Basics of nanoelectronics], Moskow.: Lohos, 2006, p. 496.
V. Timofeyev та E. Faleyeva, «Relaxation processes analysis in heterotransistors with systems of quantum wells and quantum dots,» 2014 IEEE 34th International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO), Kiev, Ukraine, April 15-18, 2014, pp. 115-118, 2014. DOI: 10.1109/ELNANO.2014.6873949
К. Kulikov, I. Baida, V. Moskaliuk та V. Timofeyev, «Conductance Cutoff of A3B5 Nitrides at High-Frequency Region,» 2018 IEEE 38th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), pp. 101-105., 2018. DOI: 10.1109/ELNANO.2018.8477497

Попередня у випуску Планування траєкторії антропоморфного крокуючого робота (Biped Robot) Наступна у випуску Ковзний режим другого порядку в задачі керування вихідною напругою альтернативного джерела в однофазній мережі

§ 06 — Пов'язані

Схожі статті в цьому журналі

Пов'язані рецензовані дослідження, опубліковані в цьому журналі.

Усі випуски

Механічно перелаштовувана антена з іонно-полімерним металевим композитом

Artem Serhiyovych Chernov, Oleksii O. Malyshok, Victor Anatoliiovych Kazmirenko, Irina Petrivna Holubeva, Yuriy Vasylovych Prokopenko, Guy A. E. Vandenbosch

Розглядається актуальна задача створення антен для сучасних бездротових систем, здатних до роботи у різних частотних діапазонах. Зазвичай для перелаштування частоти…

#структура з відхиленням електрода #фільтена #перелаштування частоти #актюатор ІМПК

с. 343504.1-343504.6

10.20535/2523-4455.mea.343504

Модель генератора Маркса для генерації коронного розряду у повітрі

Andrii Viktorovych Melnyk, Oleh Mykolaiovych Bevza, Anatolii Ivanovych Kuzmichiev

У статті розглянуто роботу генератора Маркса з навантаженням у вигляді від'ємного коронного розряду в повітрі за атмосферного тиску та побудовано його електричну модель.…

#коронний розряд #генератор Маркса #висока напруга #іонізація

с. 324599.1-324599.8

10.20535/2523-4455.mea.324599

Взаємодія срібних наночастинок з підкладкою в умовах плазмонного резонансу

Yurii I. Mysiuk, Yurii B. Smachylo, Oleksandr V. Ilin, Tetiana Oleksandrivna Bulavinets, Iryna Y. Yaremchuk

Взаємодія між наночастинками металів і підкладками в умовах плазмонного резонансу відіграє вирішальну роль у різних оптичних застосуваннях. У цій роботі ми досліджуємо…

#наночастинки срібла #переріз екстинкції #підкладка #локалізований поверхневий плазмонний резонанс

с. 303929.1-303929.6

10.20535/2523-4455.mea.303929

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov, Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk, Volodymyr Ivanovych Tymofieiev, Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 3 (2019)

Схожі статті

Andrii Volodymyrovych Osinsky, Andrii Volodymyrovych Diahiliev, Oleksandr Vasylovych Borysov, Nataliia Mykolaivna Liakhova, Marat Serhiiovych Onachenko, Nina Olehivna Sukhovii, Ihor Vitaliiovych Masol, Volodymyr Ivanovych Osinsky, Рекордна ефективність сонячних батарей на варізонних трінітрідах квантових енесторів-зоністорів , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 5 (2018)
Віталій О. Іващук, канд. техн. наук, доц. Наталія Георгіївна Іванушкіна, Моделювання впливу температури на електричну активність серцевих клітин: ідентифікація ключових іонних струмів за допомогою аналізу чутливості , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 31 № 1 (2026)
Volodymyr Semenovych Lazebnyi, Chengliang Yin, Оцінювання ймовірнісних процесів у безпроводових мережах стандарту 802.11 , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 22 № 5 (2017)
Oleksandr Viktorovych Machulianskyi, Питома електрична поляризованість наночастинок міді в оптичному діапазоні спектру , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 2 (2018)
Maksym Serhiiovych Fil, Dnys Yurevych Lebeddev, Leonid Mykolaiovych Pavlov, Підвищення стійкості цифрового телебачення до перешкод , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 5 (2019)
Arkadii Mykolaiovych Prodeus, Kseniia Victorivna Bukhta, Pavlo Vadymovych Morozko, Oleksii Volodymyroych Serhiienko, Ihor Valeriiovych Kotvytskyi, Oleksandr Oleksandrovych Dvornyk, Автоматизоване суб'єктивне оцінювання розбірливості мови при різних способах прослуховування , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 3 (2018)
Mikhail O. Bezuglyi, Natalia V. Bezuglaya, Andrii V. Nahornyi, Контроль оптичного просвітлення шкіри людини методом еліпсоїдальних рефлекторів , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 2 (2019)
Максим Олексеевич Коржик, Sergii Viktorovich Kurdiuk, Olexiy Volodymyrovych Korzhyk, Імпедансні характеристики пласко-паралельного акустичного хвилеводу з акустично м`якими границями при збудженні його двохчастотним сигналом , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 4 (2018)
Dmytro Olegovych Kalmus, Ievhen Serhiiovych Bednov, Ioann Oleksandrovych Iutin, Особливості компенсації нелінійностей в електричному приводі, пов'язані з погрішностями системи механічної передачі , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 5 (2018)
Oleh Mykolaiovych Sinchuk, Serhii Mykolaiovych Boiko, Yurii Mykolaiovych Shmelov, Особливості визначення потенціалу відновлюваних джерел енергії в умовах залізорудних підприємств , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 2 (2018)

1-10 з 16 Наступне

Ви також можете розпочати розширений пошук схожих статей для цієї статті.

[1] T. Suemitsu, «InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave application,» IEICE 2015 Electronics Express, vol. 12, no. 13, pp. 1-12, 2015. DOI: 10.1587/elex.12.20152005

[2] M. Navid, A. Anjum, Sharadindu Gopal Kirtania, A. Farhana, A. Md. Kawsar та Quazi Deen Mohd Khosru, «High Electron Mobility Transistors: Performance Analysis, Research Trend and Applications,» in Different Types of Field-Effect Transistors Intech open science, pp. 45-64, 2017. DOI: 10.5772/67796

[3] M. A. Alim, Ali A Rezazadeh, Norshakila Haris та C. Gaquiere, «Anomaly and Intrinsic Capacitance Behaviour Over Temperature of AlGaN/GaN/SiC and AlGaAs/GaAs HEMTs for Microwave Application,» в Proceedings of the 11th European Microwave Integrated Circuits Conference. 2016 EuMA, London, UK, 3–4 Oct 2016. DOI: 10.1109/EuMIC.2016.7777512

[4] N. Zagni, Francesco Maria Puglisi, Giovanni Verzellesi та Paolo Pavan, «Threshold Voltage Statistical Variability and Its Sensitivity to Critical Geometrical Parameters in Ultrascaled InGaAs and Silicon FETs,» IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 6, no. 11, pp. 4607-4614, 2017. DOI: 10.1109/TED.2017.2754323

[5] M. Fallahnejad, Alireza Kashaniniya та Mehdi Vadizadeh, «Design and Simulation Noise Characteristics of AlGaN/GaN HEMT on SIC Substrate for Low Noise Applications,» IOSR Journal of Electrical and Electronics Engineering (IOSR-JEEE) e-ISSN: 2278-1676,p-ISSN: 2320-3331, vol. 10, no. 3.Ver.II(May–Jun.2015), pp. 31-37, 2015. DOI: 10.9790/1676-10323137

[6] F. Li, L. H. Qing та D. P. Klemer, «Numerical Simulation of High Electron Mobility Transistors based on the Spectral Element Method,» ACES JOURNAL, vol. 31, no. 10, pp. 1144-1150, 2016. URL: https://aces-society.org/includes/downloadpaper.php?of=ACES_Journal_October_2016_Paper_1&nf=16-10-1

[7] V. Moskaliuk, V. Timofeev та A. Fedyay, Ultra-high-speed electronic devices, Saarbrucken, Germany: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2014.

[8] A. Ya. Shyk, L. H. Bakuva,S. F. Musikhin, S. A. Rykov , Fizika nizkorazmernykh sistem [Physics of low-dimensional systems], st.Peterburg: Nauka, 2001, p. 160.

[9] V. I. Zubkov, «Modelirovaniye vol't-faradnykh kharakteristik geterostruktur s kvantovymi yamami s pomoshch'yu samosoglasovannogo resheniya uravneniy Shredingera i Puassona [Simulation of the capacitance-voltage characteristics of heterostructures with quantum wells using self-consistent solution of the Schrödinger and Poisson equations],» SEMICONDUCTORS/PHYSICS OF THE SOLID STATE, vol. 40, no. 10, pp. 1236-1240, 2006. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6173

[10] L. D. Landau, E. M. Livshyts, Teoreticheskaya fizika: Kvantovaya mekhanika. Nerelyativistskaya teoriya [Theoretical physics: Quantum mechanics. Nonrelativistic theory] vol. 3, Moskow.: Nauka, 1989, p. 766.

[11] V. P. Dragunov, I. G. Neivestnyi, V. A. Hridchyn, Osnovy nanoelektroniki [Basics of nanoelectronics], Moskow.: Lohos, 2006, p. 496.

[12] V. Timofeyev та E. Faleyeva, «Relaxation processes analysis in heterotransistors with systems of quantum wells and quantum dots,» 2014 IEEE 34th International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO), Kiev, Ukraine, April 15-18, 2014, pp. 115-118, 2014. DOI: 10.1109/ELNANO.2014.6873949

[13] К. Kulikov, I. Baida, V. Moskaliuk та V. Timofeyev, «Conductance Cutoff of A3B5 Nitrides at High-Frequency Region,» 2018 IEEE 38th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), pp. 101-105., 2018. DOI: 10.1109/ELNANO.2018.8477497