Метод визначення електричних параметрів діодів Шотткі

О. В. Цуканов; О. Г. Драмарецький; Юрій Вікторович Діденко; Дмитро Дмитрович Татарчук

doi:10.20535/2523-4455.mea.239868

Т. 26 · № 3 · 2021 гру 23, 2021 Мікросистеми та фізична електроніка

Метод визначення електричних параметрів діодів Шотткі

ОЦ

О. В. Цуканов Відповідальний Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського",Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute Україна

ОД

О. Г. Драмарецький Український науково-дослідний інститут спеціальної техніки та судових експертиз Служби безпеки України Україна

ЮД

Юрій Вікторович Діденко Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського",Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute Україна

ДТ

Дмитро Дмитрович Татарчук Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського",Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute Україна

Сторінки239868-1 - 239868-8 Опублікованогру 23, 2021

PDF

ТОМ 26 · № 3 · 2021 Переглянути випуск

Анотація

У статті розглянуто методику визначення за ВАХ таких електричних параметрів діодів Шотткі, як висота потенціального бар'єра, коефіцієнт неідеальності, струм насичення та послідовний опір матеріалу та контактів, а також фактори, які впливають на точність визначення цих параметрів. Розглянуто існуючі методики визначення вказаних параметрів діодів Шотткі та проаналізовано їх переваги та недоліки. Представлено нову методику визначення електричних параметрів діодів Шотткі, яка має мінімальне середньоквадратичне відхилення і забезпечує більшу точність розрахунків, ніж існуючі методики.

Ключові слова

#діод Шотткі #електричні параметри #вольт-амперна характеристика #аморфний індій-галій-оксид цинку

Посилання

V. Ulianova et al., “Fabrication, Characterization and Simulation of Sputtered Pt/In-Ga-Zn-O Schottky Diodes for Low-Frequency Half-Wave Rectifier Circuits,” IEEE Access, vol. 8, pp. 111783–111790, 2020, DOI: 10.1109/ACCESS.2020.3002267
J.-W. Kim, T.-J. Jung, and S.-M. Yoon, “Device characteristics of Schottky barrier diodes using In-Ga-Zn-O semiconductor thin films with different atomic ratios,” Journal of Alloys and Compounds, vol. 771, pp. 658–663, Jan. 2019, DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.08.289
S. K. Dargar and V. M. Srivastava, “Design and analysis of IGZO thin film transistor for AMOLED pixel circuit using double-gate tri active layer channel,” Heliyon, vol. 5, no. 4, p. e01452, Apr. 2019, DOI: 10.1016/j.heliyon.2019.e01452
G. T. Dang et al., “IGZO MESFET with enzyme-modified Schottky gate electrode for glucose sensing,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 58, no. 9, p. 090603, May 2019, DOI: 10.7567/1347-4065/AB1A65
Ya. Ya. Kudryk, V. V. Shynkarenko, V. S. Slipokurov, R. I. Bigun, and Ya. Ya. Kudryk, “Methods for determination of Schottky barrier height from I-V curves,” in CriMiCo’2014, 2014, pp. 673–674.
H. Norde, “A modified forward I‐V plot for Schottky diodes with high series resistance,” Journal of Applied Physics, vol. 50, no. 7, p. 5052, Jul. 2008, DOI: 10.1063/1.325607
E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-semiconductor contacts, vol. 19. New York, USA: Oxford University Press, 1988.
S. K. Cheung and N. W. Cheung, “Extraction of Schottky diode parameters from forward current‐voltage characteristics,” Applied Physics Letters, vol. 49, no. 2, p. 85, Jun. 1998, DOI: 10.1063/1.97359.
K. Sato and Y. Yasumura, “Study of forward I‐V plot for Schottky diodes with high series resistance,” Journal of Applied Physics, vol. 58, no. 9, p. 3655, Aug. 1998, DOI: 10.1063/1.335750.
R. Fletcher, Practical Methods of Optimization. Chichester, West Sussex England: John Wiley & Sons, Ltd, 2000, ISBN: 9781118723203 DOI: 10.1002/9781118723203

Попередня у випуску Моделювання квазі-z-інверторів в системах з відновлювальними джерелами енергії на підвищеній частоті Наступна у випуску Вікно з електростатичним захистом від пилу, диму та вірусів

§ 06 — Пов'язані

Схожі статті в цьому журналі

Пов'язані рецензовані дослідження, опубліковані в цьому журналі.

Усі випуски

Механічно перелаштовувана антена з іонно-полімерним металевим композитом

Artem Serhiyovych Chernov, Oleksii O. Malyshok, Victor Anatoliiovych Kazmirenko, Irina Petrivna Holubeva, Yuriy Vasylovych Prokopenko, Guy A. E. Vandenbosch

Розглядається актуальна задача створення антен для сучасних бездротових систем, здатних до роботи у різних частотних діапазонах. Зазвичай для перелаштування частоти…

#структура з відхиленням електрода #фільтена #перелаштування частоти #актюатор ІМПК

с. 343504.1-343504.6

10.20535/2523-4455.mea.343504

Модель генератора Маркса для генерації коронного розряду у повітрі

Andrii Viktorovych Melnyk, Oleh Mykolaiovych Bevza, Anatolii Ivanovych Kuzmichiev

У статті розглянуто роботу генератора Маркса з навантаженням у вигляді від'ємного коронного розряду в повітрі за атмосферного тиску та побудовано його електричну модель.…

#коронний розряд #генератор Маркса #висока напруга #іонізація

с. 324599.1-324599.8

10.20535/2523-4455.mea.324599

Взаємодія срібних наночастинок з підкладкою в умовах плазмонного резонансу

Yurii I. Mysiuk, Yurii B. Smachylo, Oleksandr V. Ilin, Tetiana Oleksandrivna Bulavinets, Iryna Y. Yaremchuk

Взаємодія між наночастинками металів і підкладками в умовах плазмонного резонансу відіграє вирішальну роль у різних оптичних застосуваннях. У цій роботі ми досліджуємо…

#наночастинки срібла #переріз екстинкції #підкладка #локалізований поверхневий плазмонний резонанс

с. 303929.1-303929.6

10.20535/2523-4455.mea.303929

Схожі статті

Viktor Fedorovich Zavorotnyi, Olexander Vasylovych Borisov, Лабораторний тестер сонячних елементів з динамічною реконфігурацією вимірювальної схеми , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 1 (2018)
Liubomyr Mykolaiovych Korolevych, Natalia Maksimchuk, Oleksandr Vasyliovych Borysov, Вплив методів отримання тонких плівок оксиду церію на вольт-фарадні характеристики МДН-структур , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 3 (2019)
Іван Андрійович Вакуленко, канд. техн. наук, доц. Дмитро Анатолійович Миколаєць, канд. техн. наук, доц. Катерина Сергіївна Клен, Імітаційне моделювання фільтро-компенсаційного перетворювача для трифазної трипровідної мережі , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 31 № 2 (2026)
Yaroslav Ivanovych Starovoit, Serhii Viktorovych Kurdiuk, Oleksandr Hryhorovych Leiko, Фізичні поля циліндричних гідроакустичних антен з екраном і циліндричними п’єзокерамічними випромінювачами з радіальною поляризацією , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 1 (2018)
Mykola Fedorovych Zhovnir, Вимірювальний перетворювач кутових переміщень з використанням фазових набігань електричного поля поверхневих акустичних хвиль , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 22 № 5 (2017)
Igor Yevheniiovych Korotyeyev, Marius Klytta, Аналіз процесу в просторі двох змінних , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 2 (2018)
Andrii Volodymyrovych Osinsky, Andrii Volodymyrovych Diahiliev, Oleksandr Vasylovych Borysov, Nataliia Mykolaivna Liakhova, Marat Serhiiovych Onachenko, Nina Olehivna Sukhovii, Ihor Vitaliiovych Masol, Volodymyr Ivanovych Osinsky, Рекордна ефективність сонячних батарей на варізонних трінітрідах квантових енесторів-зоністорів , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 23 № 5 (2018)
Sergey M. Osinov, Viktor Fedorovich Zavorotnyi, Boris Ivanovych Lupyna, Olexandr Vasylovych Borisov, Моделювання багатофункціанального терморезистивного перетворювача, що використовує технологію теплообміну , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 24 № 2 (2019)
Віталій О. Іващук, канд. техн. наук, доц. Наталія Георгіївна Іванушкіна, Моделювання впливу температури на електричну активність серцевих клітин: ідентифікація ключових іонних струмів за допомогою аналізу чутливості , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 31 № 1 (2026)
Yaroslav Ivanovych Starovoit, Oleksandr Hryhorovych Leiko, Механічні поля циліндричного п’єзокерамічного випромінювача силової конструкції в присутності акустичного екрана , Мікросистеми, Електроніка та Акустика: Том 22 № 6 (2017)

1-10 з 60 Наступне

Ви також можете розпочати розширений пошук схожих статей для цієї статті.

[1] V. Ulianova et al., “Fabrication, Characterization and Simulation of Sputtered Pt/In-Ga-Zn-O Schottky Diodes for Low-Frequency Half-Wave Rectifier Circuits,” IEEE Access, vol. 8, pp. 111783–111790, 2020, DOI: 10.1109/ACCESS.2020.3002267

[2] J.-W. Kim, T.-J. Jung, and S.-M. Yoon, “Device characteristics of Schottky barrier diodes using In-Ga-Zn-O semiconductor thin films with different atomic ratios,” Journal of Alloys and Compounds, vol. 771, pp. 658–663, Jan. 2019, DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.08.289

[3] S. K. Dargar and V. M. Srivastava, “Design and analysis of IGZO thin film transistor for AMOLED pixel circuit using double-gate tri active layer channel,” Heliyon, vol. 5, no. 4, p. e01452, Apr. 2019, DOI: 10.1016/j.heliyon.2019.e01452

[4] G. T. Dang et al., “IGZO MESFET with enzyme-modified Schottky gate electrode for glucose sensing,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 58, no. 9, p. 090603, May 2019, DOI: 10.7567/1347-4065/AB1A65

[5] Ya. Ya. Kudryk, V. V. Shynkarenko, V. S. Slipokurov, R. I. Bigun, and Ya. Ya. Kudryk, “Methods for determination of Schottky barrier height from I-V curves,” in CriMiCo’2014, 2014, pp. 673–674.

[6] H. Norde, “A modified forward I‐V plot for Schottky diodes with high series resistance,” Journal of Applied Physics, vol. 50, no. 7, p. 5052, Jul. 2008, DOI: 10.1063/1.325607

[7] E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-semiconductor contacts, vol. 19. New York, USA: Oxford University Press, 1988.

[8] S. K. Cheung and N. W. Cheung, “Extraction of Schottky diode parameters from forward current‐voltage characteristics,” Applied Physics Letters, vol. 49, no. 2, p. 85, Jun. 1998, DOI: 10.1063/1.97359.

[9] K. Sato and Y. Yasumura, “Study of forward I‐V plot for Schottky diodes with high series resistance,” Journal of Applied Physics, vol. 58, no. 9, p. 3655, Aug. 1998, DOI: 10.1063/1.335750.

[10] R. Fletcher, Practical Methods of Optimization. Chichester, West Sussex England: John Wiley & Sons, Ltd, 2000, ISBN: 9781118723203 DOI: 10.1002/9781118723203