Осадження тонких плівок оксиду молібдену для гнучкої біорозкладної електроніки
У статті розглянуто використання біополімерного матеріалу (наноцелюлози) як гнучкої підкладки для осадження функціональних шарів електронних приладів. Плівки оксиду…
Плівки аморфного гідрогенізованого вуглецю а-С:Н завдяки таким властивостям, як хімічна інертність, інфрачервнева прозорість, твердість, зносостійкість, низький коефіцієнт тертя та біосумісність знаходять застосування в оптиці і електроніці, машинобудуванні та медицині. В представленій роботі плівки аморфного вуглецю досліджуються з метою подальшого їх застосування в якості антивідбиваючого покриття на інфрачервневих вікнах з германію, а також для орієнтування рідких кристалічних шарів в рідкокристалічних модуляторах світла. В роботі наведено технологічні чинники плазмохімічного осадження плівок з газової фази як одного з найпоширеніших та результативних технологічних методів. Серія з трьох алмазоподібних вуглецевих плівок була виготовлена за допомогою плазмохімічної установки для осадження a-C:H плівок. Осаджені плівки аналізували спектроскопічним еліпсометром Semilab SE-2000, що являє собою унікальну модульну оптичну платформу, що включає спектроскопічний еліпсометр з обертовим компенса тором. Спектральний еліпсометр дозволяє проводити безконтактний, неруйнівний оптичний аналіз одно- і багатошарових структур на кремнії, склі, плівковому носії, а також визначати товщину тонкоплівкових зразків і їх оптичні властивості такі як: коефіцієнт заломлення, показник поглинання, оптична ширина забороненої зони. В роботі наведено залежності отриманих еліпсометричних коефіцієнтів. На основі отриманих залежностей було виконано розрахунки з використанням матриць та рівнянь Френеля. На основі вимірювань залежності коефіцієнта відбиття від кута падіння монохроматичного випромінювання реалізовані можливості багатопараметричного, локального, експрес-неруйнівного визначення товщини, показників заломлення та поглинання шарів від кількох нанометрів до десятих мікрометра. Отримані значення для n, k і d знаходяться в діапазонах: для n - 1,448 - 1,621, для k - 0,345 - 0,062, а для d від 136,20 нм до 74,66 нм. Для викорис тання вуглецевих плівок в якості антивідбивних покриттів необхідно, щоб його показник заломлення мав значення близько 2,0. Отримані значення показника заломлення є меншими, що не відповідає вимогам для антивідбивних покриттів. Але значення n - 1,448 - 1,621 задовольняє вимогам використання плівок для формування однорідної орієнтації рідких кристалів в пристроях на їх основі.
Ця робота має відкриту ліцензію: вільно поширюйте та адаптуйте її, посилаючись на авторів і журнал. Умови ліцензії ↗
Авторське право (c) 2020 Dmytro Zelinskyi, В'ячеслав Горохов, Ольга Кондратенко, Людмила Шмирова, Тетяна Семикіна (Автор)
У статті розглянуто використання біополімерного матеріалу (наноцелюлози) як гнучкої підкладки для осадження функціональних шарів електронних приладів. Плівки оксиду…
В роботі наведено результати дослідження напівпровідникових плівкових гетеро структур CdS-Cu2S та CdS-ZnS-Cu2S методом резонансу-антирезонансу. Виміри…
Робота присвячена дослідженню властивостей феромагнетиків з застосуванням моделювання в програмних середовищах Proteus Professional Demonstration та…
Ви також можете розпочати розширений пошук схожих статей для цієї статті.